在構造方面，我們可以將設備分為四種類型。

• P溝道增強MOSFET

• N溝道增強MOSFET

• P - 通道耗盡MOSFET

• N溝道耗盡MOSFET

P溝道增強MOSFET

我們還將p溝道MOSFET稱為P-MOS。這里，輕摻雜的n型半導體襯底形成器件的主體。為此，我們通常使用硅或砷化鎵半導體材料。兩個重摻雜的p型區域在體內分開一定距離L.我們將該距離L稱為溝道長度，并且它是1μm的量級。

現在襯底頂部有一層薄薄的二氧化硅（SiO 2）。我們也可以使用Al 2 O 3，但SiO 2是最常見的。襯底上的該層表現為電介質。在該SiO 2電介質層的頂部安裝有鋁板。

現在，鋁板，電介質和半導體襯底在器件上形成電容器。

連接到兩個p型區域的端子分別是器件的源極（S）和漏極（D）。從電容器的鋁板突出的端子是器件的柵極（G）。我們還將mosfet的源極和主體連接到地，以便在MOSFET工作期間根據需要促進自由電子的供應和取出。

現在讓我們在門（G）處施加負電壓。這將在電容器的鋁板上產生負靜電勢。由于電容作??用，正電荷在介電層下方積聚。

基本上，由于負柵極板的排斥，n型襯底的該部分的自由電子移開，因此這里出現未覆蓋的正離子層。現在，如果我們進一步增加柵極端的負電壓，在一定電壓稱為閾值電壓后，由于靜電力，晶體的共價鍵就在SiO 2的正下方層開始破碎。因此，在那里產生電子 - 空穴對。由于柵極的負面性，空穴被吸引并且自由電子被廢除。以這種方式，空穴的濃度在那里增加并且從源極到漏極區域形成空穴通道。孔也來自重摻雜的p型源極和漏極區域。由于該通道中的孔的集中，通道本質上變為導電的，電流可以通過該通道。

現在讓我們在漏極端施加負電壓。漏極區域中的負電壓減小了柵極和漏極之間的電壓差減小，結果，導電溝道的寬度朝向漏極區域減小，如下所示。同時，電流從箭頭所示的源流向排放口流動。

mosfet中產生的溝道提供了從源極到漏極的電流阻抗。溝道的電阻取決于溝道的橫截面，溝道的橫截面又取決于所施加的負柵極電壓。因此，我們可以借助施加的柵極電壓控制從源極到漏極的電流，因此MOSFET是電壓控制的電子器件。由于空穴的濃度形成溝道，并且由于負柵極電壓的增加，通過溝道的電流得到增強，我們將MOSFET命名為P溝道??增強MOSFET。

N溝道增強MOSFET

N溝道增強MOSFET的工作類似于P溝道增強MOSFET的工作，但僅在操作和結構上這兩者彼此不同。在N溝道增強MOSFET中，輕摻雜的p型襯底形成器件的主體，并且源區和漏區重摻雜有n型雜質。在這里，我們還將身體和源通常連接到地電位。現在，我們向柵極端子施加正電壓。由于柵極的積極性和相應的電容效應，自由電子即p型襯底的少數載流子被吸引向柵極并通過將這些自由電子與空穴重新組合而在介電層正下方形成一層負的未覆蓋離子。如果我們在閾值電壓電平之后不斷增加正柵極電壓，重組過程飽和，然后自由電子開始在該位置積聚，形成自由電子的導電通道。自由電子也來自重摻雜源極和漏極n型區域。現在，如果我們在漏極施加正電壓，電流開始流過溝道。溝道的電阻取決于溝道中的自由電子的數量，并且溝道中的自由電子的數量再次取決于器件的柵極電位。隨著自由電子的濃度形成溝道，并且由于柵極電壓的增加，通過溝道的電流得到增強，我們將MOSFET命名為N溝道增強MOSFET。自由電子也來自重摻雜源極和漏極n型區域。現在，如果我們在漏極施加正電壓，電流開始流過溝道。溝道的電阻取決于溝道中的自由電子的數量，并且溝道中的自由電子的數量再次取決于器件的柵極電位。隨著自由電子的濃度形成溝道，并且由于柵極電壓的增加，通過溝道的電流得到增強，我們將MOSFET命名為N溝道增強MOSFET。自由電子也來自重摻雜源極和漏極n型區域。現在，如果我們在漏極施加正電壓，電流開始流過溝道。溝道的電阻取決于溝道中的自由電子的數量，并且溝道中的自由電子的數量再次取決于器件的柵極電位。隨著自由電子的濃度形成溝道，并且由于柵極電壓的增加，通過溝道的電流得到增強，我們將MOSFET命名為N溝道增強MOSFET。溝道的電阻取決于溝道中的自由電子的數量，并且溝道中的自由電子的數量再次取決于器件的柵極電位。隨著自由電子的濃度形成溝道，并且由于柵極電壓的增加，通過溝道的電流得到增強，我們將MOSFET命名為N溝道增強MOSFET。溝道的電阻取決于溝道中的自由電子的數量，并且溝道中的自由電子的數量再次取決于器件的柵極電位。隨著自由電子的濃度形成溝道，并且由于柵極電壓的增加，通過溝道的電流得到增強，我們將MOSFET命名為N溝道增強MOSFET。

N溝道耗盡MOSFET

耗盡MOSFET的工作原理與增強型MOSFET 的工作原理略有不同。N溝道耗盡MOSFET襯底（主體）是p型半導體。源區和漏區是重摻雜的n型半導體。源區和漏區之間的空間被n型雜質擴散。現在，如果我們在源極和漏極之間施加電勢差，則電流開始流過襯底的整個n區域。

現在，讓我們在柵極端子施加負電壓。由于電容效應，自由電子在SiO 2介電層正下方的n區域中被廢除并向下移動。結果，在SiO 2下方將存在多層正未覆蓋的離子介電層。以這種方式，在溝道中將發生電荷載流子的耗盡，因此溝道的總電導率降低。在這種情況下，對于漏極處的相同施加電壓，漏極電流減小。在這里我們已經看到，我們可以通過改變溝道中電荷載流子的耗盡來控制漏極電流，因此我們將其稱為耗盡MOSFET。這里，漏極處于正電位，柵極處于負電位，而源極處于零電位。因此，漏極與柵極之間的電壓差大于源極與柵極之間的電壓差，因此耗盡層的寬度朝向漏極的寬度大于朝向源極的寬度。

P - 通道耗盡MOSFET

Cotructionwise ap溝道耗盡MOSFET恰好與n溝道耗盡MOSFET相反。這里的預制通道由重摻雜p型源極和漏極區域之間的p型雜質構成。當我們在柵極端子處施加正電壓時，由于靜電作用，少數載流子即p型區域的自由電子被吸引并在那里形成靜態負雜質離子。因此，在溝道中形成耗盡區，因此，溝道的導電性降低。這樣，通過在柵極施加正電壓，我們可以控制漏極電流。

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