在MOS管作為開關(guān)運用時，因為它的輸入特性，可能會引起“開關(guān)”動作滯后，這就不能凸顯出MOS管相對于三極管的優(yōu)勢。而為了改善MOS管作為開關(guān)的效果，有時候需要電路設計的設計師使用灌流電路來幫助MOS管發(fā)揮最佳的作用。

灌流電路

灌流電路主要是針對MOS管在作為開關(guān)管運用時其容性的輸入特性，引起“開”、“關(guān)”動作滯后而設置的電路，當MOS管作為其他用途；例如線性放大等應用，就沒有必要設置灌流電路。

MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點，但是在作為大功率開關(guān)管應用時，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個小電容器，輸入的開關(guān)激勵信號，實際上是在對這個電容進行反復的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。

壓波形變成B的畸變波形，導致開關(guān)管不能正常開關(guān)工作而損壞，解決的方法就是，只要R足夠的小，甚至沒有阻值，激勵信號能提供足夠的電流，就能使等效電容迅速的充電、放電，這樣MOS開關(guān)管就能迅速的“開”、“關(guān)”，保證了正常工作。由于激勵信號是有內(nèi)阻的，信號的激勵電流也是有限度，在作為開關(guān)管的MOS管的輸入部分，增加一個減少內(nèi)阻、增加激勵電流的“灌流電路”來解決此問題。

另一種灌流電路

灌流電路的另外一種形式，對于某些功率較小的開關(guān)電源上采用的MOS管往往采用了下圖A的電路方式。

圖中 D為充電二極管，Q為放電三極管（PNP）。工作過程是這樣，當激勵方波正半周時，D導通，對MOS管輸入端等效電容充電(此時Q截止)，在當激勵方波負半周時，D截止，Q導通，MOS管柵極S所充電荷，通過Q放電，MOS管完成“開”與“關(guān)”的動作，如上圖B所示。此電路由激勵信號直接“灌流”，激勵信號源要求內(nèi)阻較低。該電路一般應用在功率較小的開關(guān)電源上。

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