MOS高壓側(cè)自舉升壓電路
如果不添加自舉電路，
舉例如下：
如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅(qū)動(dòng)電壓也為12V，那么當(dāng)MOS在導(dǎo)通瞬間，Soure極電壓會(huì)升高為Drink減壓減去一個(gè)很小的導(dǎo)通壓降，那么Vgs電壓會(huì)接近于0V，MOS在導(dǎo)通瞬間后又會(huì)關(guān)斷，再導(dǎo)通，再關(guān)斷。
如此下去，長(zhǎng)時(shí)間在MOS的Drink極與Source間通過(guò)的是一個(gè)N倍于工作頻率的高頻脈沖，這樣的脈沖尖峰在MOS上會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的電壓應(yīng)力，很快MOS管會(huì)被損壞。
如果在MOS的Gate與Source間接入一個(gè)小電容，在MOS未導(dǎo)通時(shí)給電容充電，在MOS導(dǎo)通，Source電壓升高后，自動(dòng)將Gate極電壓升高，便可使MOS保持繼續(xù)導(dǎo)通。
圖中自舉升壓電路解析（電荷泵工作原理）：
1、上電時(shí)：電源+11V流過(guò)D1、D2向C3充電，C3上的電壓很快升至接近11V；
2、如果Q6導(dǎo)通，C1負(fù)極被拉低，C1形成充電回路，會(huì)很快C1充電至11V;
3、當(dāng)PWM波形翻轉(zhuǎn)，Q6截止，Q3導(dǎo)通，C1負(fù)極電位被抬高到接近電源電壓11V，水漲船高，此時(shí)C1正極電位已超過(guò)電源電壓，并高于C3端電壓。因?yàn)镈1的存在，該電壓不會(huì)向電源倒流；
4、此時(shí)開(kāi)始先C3充電，C3上的端電壓被充至接近2倍電源電壓22V；
5、只要Q3、Q6一直輪流導(dǎo)通和截止，C1就會(huì)不斷向C3充電，使C3端電壓一直保持22V的電壓。
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