N溝道和P溝道MOS管區(qū)別
1、芯片材質(zhì)不同
雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通過電子形成電流溝道；P溝道MOS管是用空穴流作為載流子。具體原理可以參考一些教科書，屬于工藝方面的問題。
2、同等參數(shù)P溝道MOS管價格更高
（1）N溝道MOS管芯片成本低于P溝道。
N溝道MOS管通過電子形成電流溝道，當(dāng)MOS管被激活和導(dǎo)通時，電子通過電流移動，速度較P溝道MOS管速度快。
在相同的RDS(on)情況下，載流子的遷移率約為P溝道MOS管的2到3倍，而要實(shí)現(xiàn)相同的電流，P溝道芯片尺寸就要設(shè)計(jì)成N溝道MOS管的2到3倍大。
因此從制造成本上，N溝道MOS管就要低于P溝道MOS管。因此，大電流應(yīng)用通常首選N溝道的MOS管。
（2）量產(chǎn)規(guī)模上N溝道成本更低。
由于N溝道MOS管的優(yōu)勢，使得它作為首選，能夠大規(guī)模產(chǎn)出和應(yīng)用，大規(guī)模量產(chǎn)后產(chǎn)品的價格更具優(yōu)勢。
（3）價格競爭更激烈。
N溝道MOS管型號參數(shù)，發(fā)展比較充分，各家品牌競爭激烈，價格也更透明。
（4）P溝道存在的意義
既生N何生P？P溝道MOS管為何還存在？
P溝道MOS管是用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道MOS管中的電子流。P溝道MOS管需要從柵極到源極的負(fù)電壓(VGS)才能導(dǎo)通，而N溝道MOS管則需要正VGS電壓。使得P溝道MOS管成為高邊開關(guān)的理想器件。
有助簡化電路設(shè)計(jì)、減少體積，實(shí)現(xiàn)低壓驅(qū)動。由于它能夠簡化柵極驅(qū)動技術(shù)，在一些使用場景中，對于整體成本而言，反而起到降低成本的效果。
所有P溝道產(chǎn)品雖貴，但能簡化電路設(shè)計(jì)，有益于實(shí)現(xiàn)功能且整體降低成本。
3、應(yīng)用不同
N管:當(dāng)一個MOS管接地，負(fù)載連接到干線電壓上時，這個MOS管就構(gòu)成低壓側(cè)開關(guān)。這時就要采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。
P管:當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān)。這就要采用P溝道MOS管，這是考慮到電壓驅(qū)動的原因。
4、使用時識別標(biāo)示不同
實(shí)際應(yīng)用時，MOS管包括：N管、P管、雙N管、雙P管、N+P管。
識別方法包括：
（1）型號末尾數(shù)字奇偶不同。型號末尾數(shù)字，一般奇數(shù)是P管，偶數(shù)是N管，例如常見的2300為N管，2301為P管，4406為N管，4407為P管。
（2）規(guī)格書的標(biāo)題，一般有寫N-Channel、P-Channel等。
（3）電氣符號的箭頭方向不同，N管箭頭指向柵極，P管相反，如果有多個柵極數(shù)量則需要注意看每個箭頭的方向。
（4）規(guī)格書的VDS正負(fù)不同，正數(shù)為N或雙N，負(fù)數(shù)為P或雙P，一正一負(fù)為N+P
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