一般的電源開關電路，控制電源的目的是省電，控制靜態(tài)電流。不過以下的電路存在著幾個缺點：
1.管壓降較大
我們知道采用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會導致由此供電的芯片損壞。
PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實際的值在1歐以內(nèi)。
2.控制電流
我們知道Ib和Ic是相關的，飽和放大系數(shù)一般的設計為30，因此我們通過200mA的電流的時候，Ib=200/30=7mA，這樣導致了控制電路功耗較大。
3.開關管功耗
我們知道三極管的功耗計算公式為Pd=Veb×Ib+Vec×Ic，Vec飽和時0～0.3V的條件下，當通過電流較大的時候，開關管的功耗就很大。
比較而言，PMOS的導通電阻Rdson較小（也可選擇），P=Rdson×Id^2。
PMOS高壓電路設計（12V）電路
對比PNP電路設計
低壓開關（NMOS）【5V，3.3V，1.5V】
NMOS導通關閉條件：
這里使用PNP管直接使NM OS的G和Vin導通，這樣NMOS才可以完全導通，要是不能使Vin完全和NMOS的G完全接通，就使用最上面的PMOS的方案，如果接成如下的情況：
結果
當Photo Control為高定平，9014導通，640斷開。當Photo Control為低電平，9014斷開，640導通，可此時640上ds間3~4V的壓降，本意DC=VBAT(8V) ,現(xiàn)在DC只有3點幾伏電壓；
原因：
NPN+PMOS才做電源控制，這是NPN+NMOS，R21直接換成0歐就通了，只不過沒有控制什么事了。
還有NMOS的襯底一般做出來的時候是和源極接在一起的，開機NMOS需控制電壓（相對襯底）大于開啟電壓，這樣接襯底完全懸空了，現(xiàn)在的電路無論怎么控制都達不到要求，電路本身設計就錯了，NMOS一般是做低輸出的，PMOS才是高輸出電路，這個性質(zhì)和三極管的NPN和PNP差不多的。TTL中用三極管，TTL能驅(qū)動MOS，MOS不能驅(qū)動TTL。
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