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  • 怎么“實現(xiàn)”外置與內(nèi)置電源切換
    • 發(fā)布時間:2023-02-27 17:47:13
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    怎么“實現(xiàn)”外置與內(nèi)置電源切換
    外置和內(nèi)置電源切換
    本文講解的是“外置USB供電與內(nèi)置鋰電池供電的自動切換電路”,所以先把電路中不相關(guān)的電路隱藏。
    也就是隱藏鋰電池充電管理、電源濾波等電路:
    電源切換 外置 內(nèi)置
    隱藏后變成這樣:
    電源切換 外置 內(nèi)置
    這一下子,電路變得好簡單,實現(xiàn)電源切換的功能,竟然只需要一個二極管、一個MOS管、一個電阻!
    一、電路說明
    將上述的“外置USB供電與內(nèi)置鋰電池供電自動切換電路”整理一下:
    電源切換 外置 內(nèi)置
    功能邏輯是這樣的:
    1、當(dāng)插著USB電源時,由外置的USB電源供電,即VBUS對VOUT供電。
    2、當(dāng)拔掉USB電源時,切換為由內(nèi)置的鋰電池供電,即VBAT對VOUT供電。
    3、當(dāng)重新插入USB電源時,切換為由外置的USB電源供電,即VBUS對VOUT供電。
    二、原理分析
    假設(shè)VBUS的電壓為5V,VBAT的電壓為3.7V,下面開始分析。
    1、當(dāng)插著USB電源時:
    VBUS通過肖特基二極管D9到達(dá)VOUT。
    電源切換 外置 內(nèi)置
    肖特基二極管的導(dǎo)通壓降約為0.3V,USB電壓VBUS = 5V,所以:
    VOUT = 5V - 0.3V = 4.7V
    由于VBAT為3.7V,MOS管Q4的s極為4.7V,g極為5V,由此可知:
    Vgs = 5V - 4.7V = 0.3V > 0
    所以MOS管處于不導(dǎo)通狀態(tài),同時其體二極管也是反向截止。
    由于電阻R155的存在,會浪費一些功耗,流過R155的電流為:
    5V / 10Kohm = 0.5mA
    2、當(dāng)拔掉USB電源時:
    VBUS的電壓會從5V開始往下降,電阻R155起到給VBUS放電的作用。
    VBUS的電壓需要快速下降,因為如果下降慢了,會導(dǎo)致MOS管Q4打開變慢,也就不能很快地切換為電池VBAT供電。
    如下圖,假設(shè)VBUS緩慢下降到4.9V,即MOS管Q4的g極為4.9V。
    電池電壓VBAT通過MOS管Q4的體二極管后降低了約0.7V,變?yōu)?V,即MOS管的Vgs電壓為:
    4.9V - 3V = 1.9V > 0
    MOS管仍然不導(dǎo)通,VOUT的供電沒有完全切換為VBAT。
    電源切換 外置 內(nèi)置
    假設(shè)VBUS已經(jīng)下降為1V,如下圖。
    則Vgs = 1V - 3V = -2V,MOS管已經(jīng)逐漸打開。
    電源切換 外置 內(nèi)置
    最終,VBUS會降到0V,MOS管也會完全打開,VOUT切換為用VBAT供電,VOUT電壓變?yōu)?.7V:
    電源切換 外置 內(nèi)置
    VBUS接的濾波電容會令其電壓下降緩慢,如果發(fā)現(xiàn)VBUS的電壓下降過慢,可以減小R155的阻值。但是這樣會導(dǎo)致在插入USB電源時,流過R155的電流變大,增加了無謂的功耗。
    所以R155的阻值不能過大也不能過小,需根據(jù)實際調(diào)試的效果來決定。
    3、當(dāng)重新插入USB電源時:
    如下圖,MOS管Q4的Vgs = 5V - 4.7V > 0,MOS管不導(dǎo)通,并且其體二極管也是反向偏置。
    VOUT切換為用VBUS供電,Vout電壓變?yōu)?.7V。
    電源切換 外置 內(nèi)置
    三、性能提升
    在拔掉USB電源的瞬間,有沒有可能MOS管Q4來不及打開,導(dǎo)致VBAT的電壓沒有及時切過來?是有可能的。
    MOS管Q4沒有快速打開,VBAT供電不能及時續(xù)上來,會導(dǎo)致VOUT電壓下降過多,VOUT的負(fù)載電路就可能工作異常。如果電路的負(fù)載較重,拉取的電流較大,尤其容易出現(xiàn)在供電電源切換時VOUT電壓下降過多的問題。怎么辦呢?
    1、可以加快MOS管打開導(dǎo)通的速度。方法是減小VBUS的濾波電容的容值,減小電阻R155的阻值,這都是讓VBUS快速掉電,從而讓Vgs快點到達(dá)令MOS管完全打開的電壓。
    2、在VOUT增加濾波電容,但是效果不怎么明顯。
    3、這是重點!可以給MOS管并聯(lián)一個肖特基二極管D1,如下圖所示:
    電源切換 外置 內(nèi)置
    該肖特基二極管D1的正向?qū)▔航导s為0.3V,比MOS管的體二極管要小。在MOS管完全打開之前,VBAT通過肖特基二極管D1對VOUT進(jìn)行供電,可以緩解VOUT電壓下降過多的問題。
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