PMOS晶體管，也稱(chēng)為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個(gè)晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個(gè)主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端子由p型基板構(gòu)成，而漏極端子由n型基板構(gòu)成。該晶體管中的電流由電荷載流子（例如空穴）傳導(dǎo)。下面顯示了PMOS晶體管的符號(hào)。
PMOS晶體管工作原理
p型晶體管的工作方式與n型晶體管非常不同。當(dāng)該晶體管接收到非零電壓時(shí)，它將產(chǎn)生開(kāi)路，從而阻止電流從柵極（G）端子流向源極（S）。與此類(lèi)似，當(dāng)該晶體管接收到約0伏的電壓時(shí)，它形成一個(gè)閉合電路，這意味著電流從柵極（G）端子流向漏極（D）。
反轉(zhuǎn)氣泡是這個(gè)氣泡的另一個(gè)名稱(chēng)。因此，這個(gè)圓圈的主要目的是反轉(zhuǎn)輸入電壓的值。該逆變器將柵極端子處的電壓1轉(zhuǎn)換為零，并根據(jù)需要操作電路。因此，PMOS和NMOS晶體管用于完全不同的目的。如果我們將它們組合成一個(gè)MOS電路，它將轉(zhuǎn)換為CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）電路。
pmos晶體管的各個(gè)工作區(qū)域
PMOS晶體管的工作區(qū)域包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域、極門(mén)區(qū)域和極源區(qū)域。源極區(qū)域是晶體管的輸入端，漏極區(qū)域是晶體管的輸出端，極門(mén)區(qū)域是晶體管的控制端，極源區(qū)域是晶體管的電源端。
如何對(duì)NMOS和PMOS的工作區(qū)域進(jìn)行判斷呢？
方法一：分別進(jìn)行討論，注意PMOS中的值都是負(fù)數(shù)∶
方法二：利用絕對(duì)值判斷
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