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場(chǎng)效應(yīng)管D極和S極是否可以互換
2021-03-19
場(chǎng)效應(yīng)管D極和S極是否可以互換場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(簡(jiǎn)稱(chēng)JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管或MOSFET)兩種。每種又可分為N溝道和P溝道
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怎么判斷場(chǎng)效應(yīng)管極性
2021-03-18
怎么判斷場(chǎng)效應(yīng)管極性場(chǎng)效應(yīng)管是近些年來(lái)應(yīng)用較廣泛的一種單極性電壓控制器件，它不但有自關(guān)斷能量，而且它具有輸入阻抗高（可以達(dá)到10^9-1
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場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的三種組態(tài)介紹
2021-03-18
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的三種組態(tài)介紹1 電路結(jié)構(gòu)12為旁路電容,RG1?RG2為分壓電阻,RG2上的壓降為場(chǎng)效應(yīng)管的柵極提供偏置電壓,故該電路稱(chēng)為分壓式
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CMOS管與雙極晶體管的區(qū)別
2021-03-18
CMOS管與雙極晶體管的區(qū)別場(chǎng)效應(yīng)管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動(dòng)作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以分為：接合型場(chǎng)效應(yīng)管MO
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用三極管直接驅(qū)動(dòng)MOS可以嗎-需要注意哪些
2021-03-18
用三極管直接驅(qū)動(dòng)MOS可以嗎-需要注意哪些用三極管是可以直接驅(qū)動(dòng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓驅(qū)動(dòng)器件，要想使其充分導(dǎo)通，要
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三極管驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)知識(shí)
2021-03-18
三極管驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)知識(shí)1．輸入與電平轉(zhuǎn)換部分：輸入信號(hào)線由DATA引入，1腳是地線，其余是信號(hào)線。注意1腳對(duì)地連接了一個(gè)2K歐的電阻。當(dāng)驅(qū)
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場(chǎng)效應(yīng)管晶體管基礎(chǔ)知識(shí)介紹
2021-03-18
場(chǎng)效應(yīng)管晶體管基礎(chǔ)知識(shí)介紹1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子
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導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管基礎(chǔ)知識(shí)詳解
2021-03-18
導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管基礎(chǔ)知識(shí)詳解導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與工作原理
2021-03-17
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與工作原理1 結(jié)構(gòu)下圖中示出了N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖以及它在電路中的符號(hào)。在一塊N型硅棒的兩側(cè)，利用合金法、
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場(chǎng)效應(yīng)管的防反接原理知識(shí)
2021-03-17
場(chǎng)效應(yīng)管的防反接原理知識(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以用在控制回路中，起到控制負(fù)載回路通斷的作用，也可以用在防反接電路中，避免電源防接將電路燒壞。二
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場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi),結(jié)構(gòu)與原理介紹
2021-03-17
場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi),結(jié)構(gòu)與原理介紹場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，是較新型的半導(dǎo)體材料，利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管的電流，因而得名。它只有一種載
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場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)與基礎(chǔ)知識(shí)
2021-03-17
場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)與基礎(chǔ)知識(shí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管又稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管，縮寫(xiě)FET，場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體放大器件。場(chǎng)效應(yīng)管不僅具有晶體管體積小、省電、耐用