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場效應(yīng)管并聯(lián)與并聯(lián)判斷方法

2020-11-19

場效應(yīng)管并聯(lián)與并聯(lián)判斷方法mos管如何并聯(lián)使用？并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾
顯卡MOS管詳解和顯卡MOS管分類與選購知識

2020-11-19

顯卡MOS管詳解和顯卡MOS管分類與選購知識顯卡的MOS管顯卡MOS管，三腳MOS依然是現(xiàn)在顯卡上最常見的，八爪魚MOS是全新的封裝形式，它最大的優(yōu)
50n06參數(shù)中文 50N06 50A60V 中文資料介紹

2020-11-19

50n06參數(shù)中文 50N06 50A60V 中文資料介紹一、50N06參數(shù)中文產(chǎn)品特征：RDS(on) =10 5m@ VGS =10V提供無鉛綠色設(shè)備低Rds開啟，最大限
MOS過壓保護(hù)電路與電池MOS管保護(hù)電路

2020-11-19

MOS過壓保護(hù)電路與電池MOS管保護(hù)電路MOS管防反接防過壓電路NMOS管防反接電路如上圖MOS過壓保護(hù)電路，當(dāng)電源正確接入時。電流的流向是從Vin
MOS場效應(yīng)管判斷好壞與判斷注意事項

2020-11-18

MOS場效應(yīng)管判斷好壞與判斷注意事項MOS場效應(yīng)管如何判斷好壞（一）結(jié)型場效應(yīng)晶體管的檢測1．判別電極與管型用萬用表R×100檔或R&time
場效應(yīng)管的符號和三個極,G、S、D詳解

2020-11-18

場效應(yīng)管的符號和三個極,G、S、D詳解1 判斷柵極GMOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段
如何降低mosfet導(dǎo)通壓降-降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻原理和方法?

2020-11-18

如何降低mosfet導(dǎo)通壓降-降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻原理和方法MOS管如何把MOS管導(dǎo)通時電壓降控制在最小如何降低mosfet導(dǎo)通壓降，Rds（on）是MO
場效應(yīng)管靜態(tài)工作點解析與設(shè)置靜態(tài)工作點的要求

2020-11-18

場效應(yīng)管靜態(tài)工作點解析與設(shè)置靜態(tài)工作點的要求MOS管的靜態(tài)工作點的計算場效應(yīng)管靜態(tài)工作點，據(jù)場效應(yīng)管的特點，利用雙極型三極管與場效應(yīng)
場效應(yīng)管穩(wěn)壓電路-穩(wěn)壓電源，電路圖解

2020-11-18

場效應(yīng)管穩(wěn)壓電路-穩(wěn)壓電源，電路圖解場效應(yīng)管穩(wěn)壓電路圖（一）場效應(yīng)管穩(wěn)壓電路，圖所示的是采用功率場效應(yīng)管組成的簡易穩(wěn)壓電源電路。穩(wěn)
Mosfet過流保護(hù)電路工作原理與技術(shù)特征

2020-11-18

Mosfet過流保護(hù)電路工作原理與技術(shù)特征Mosfet過流保護(hù)電路對一個成功設(shè)計的來說保護(hù)電路是至關(guān)重要的。我們來看看如何用運放打造一個過流保
MOSFET雪崩擊穿問題詳情解析

2020-11-18

MOSFET雪崩擊穿問題詳情解析MOSFET雪崩擊穿問題分析功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分
MOS管知識-mosfet體效應(yīng)(襯偏效應(yīng))詳情解析

2020-11-17

MOS管知識-mosfet體效應(yīng)(襯偏效應(yīng))詳解mosfet體效應(yīng)(襯偏效應(yīng))詳解關(guān)于MOSFET的體效應(yīng)（body-effect,襯底調(diào)制效應(yīng)／襯偏效應(yīng)），主要是來源

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